【本報訊】科學家稱，他們發現了一種用磁脈衝刺激大腦特定部位，以增強大腦學習記憶能力的方法，有望在不久的將來發明出「記憶帽」，來開發人類記憶能力。

加拿大溫哥華卑詩大學（UBC）的教授拉臘．博伊德和他的實驗小組日前發現，用磁脈衝刺激大腦的運動前皮質(前額後面)，能顯著增強實驗對象對某項任務的學習和記憶能力。

博伊德教授的實驗小組請來30位志願者，讓他們用操縱桿追蹤電腦顯示幕上跳躍的紅點。志願者對紅點的跳躍模式並不知情，他們被告知紅點由始至終都是無序跳躍的。在實驗中，研究人員讓一部分志願者一邊接受磁脈衝刺激一邊操作，而其他志願者則在常態下進行操作。